美国出台新规限制对华晶圆代工！背后的战略意图和影响深度揭秘

美国限制华为芯片代工，科技战略再升级

　　 当地时间1月15日，美国联邦公报官网发布了一则公告，宣布美国商务部工业与安全局（BIS）修订了出口管理法规（EAR）。此次修订旨在增加与高级计算集成电路（IC）相关的尽职调查程序，以保护美国国家安全，并帮助前端半导体制造工厂以及外包半导体封装与测试（OSAT）公司更好地遵守EAR供应链的相关规定。 这一举措无疑反映了当前国际局势下美国对于高科技领域的高度关注与管控。通过加强相关技术的出口管制，美国试图确保这些关键技术不会落入可能对本国构成威胁的实体手中。然而，这也可能给全球半导体产业链带来一定的影响，尤其是在中国等国家和地区，这些地区的企业可能会面临更为复杂的合规挑战。因此，在强化国家安全的同时，如何平衡国际贸易关系和促进技术交流，将是未来政策制定者需要认真考虑的问题。

　　 总结来说，该出口管制新规是在之前半导体出口管制措施的基础上进行了进一步的修正与升级。此次修订的核心仍然是限制向中国出口适用于数据中心的高性能逻辑芯片。新规定特别强调了对海外晶圆代工厂和先进封装厂的管控，禁止它们为中国企业提供基于16/14纳米及以下先进制程，并且晶体管数量超过特定限制的逻辑芯片的代工和封装服务。 这一系列措施表明，美国政府正持续加强对中国在高端半导体技术领域的限制，尤其是在那些对于构建高性能计算基础设施至关重要的领域。这不仅会对中国企业在数据中心建设和云计算领域的发展产生直接影响，同时也可能引发全球供应链的重新布局。尽管这些措施短期内可能会对中国相关产业造成一定的冲击，但从长远来看，这也可能加速中国在自主技术创新方面的步伐，推动国内产业链的完善与发展。

　　 其最新的限制规则如下：

　　 采用16/14纳米节点或更先进制程，或使用非平面晶体管结构制造的任何逻辑集成电路，若其封装内的“聚合近似晶体管计数”超出特定限制（如出口、再出口或国内转让年份所规定的），则被视为符合3A090.a规则下的数据中心产品。另外，如果前端制造商或OSAT（外包半导体封装和测试）公司无法验证最终封装产品的“聚合近似晶体管计数”，同样适用于上述规则。

　　 除非满足以下三个条件：

　　 （a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管。这一数字虽然庞大，但考虑到现代芯片设计的复杂性和高性能需求，这样的晶体管数量似乎已经接近当前技术的极限。随着技术的进步，我们期待未来能有更高效的晶体管集成方式，以满足日益增长的计算需求。 这种发展趋势不仅反映了半导体行业的技术创新速度，也揭示了电子产品性能提升背后巨大的工程挑战。面对如此庞大的晶体管数量，如何确保每个晶体管都能高效稳定地工作，成为了工程师们需要克服的关键问题之一。

　　 （b）最终封装的IC并不包含高带宽存储器（HBM），并且预计到2027年，在任何出口、再出口或国内转移过程中，这种最终封装的集成电路的“聚合估计晶体管数量”都将低于350亿个晶体管。 这一规定无疑为半导体行业设定了一个明确的技术门槛，同时也可能对全球供应链产生一定的影响。尤其对于那些依赖于高端半导体技术的企业来说，这可能会带来不小的挑战。不过，这也可能推动相关企业加速研发更高密度、更高效能的芯片技术，从而在未来的市场竞争中占据有利位置。总体来看，这一措施既是对当前技术能力的一种限制，也可能是推动技术创新的重要动力。

　　 （c）2029年或之后完成的任何出口、再出口或国内转让超过400亿个晶体管的集成电路，则这将超越ECCN 3A090.a中规定的限制。

　　 也就是说，一款芯片如果其采用了16/14纳米及以下的先进制程，并且其最终封装内包含有300亿个或更多的晶体管，将会受到限制。相关前端芯片制造商和OSAT公司将被禁止对华出口此类芯片。由于芯片技术不断进步，晶体管数量的限制会逐步放宽，到2027年将放宽至350亿个以内，到2029年或之后将进一步放宽至400亿个以内。

　　 同时，BIS（美国商务部工业与安全局）新设立的两个实体名单，一个涵盖了获准的IC设计企业，其中包括苹果、英特尔、AMD、高通和联发科等知名公司，这些企业的芯片设计将不受额外出口管制的影响。另一个则是经过批准的“OSAT”（外包半导体组装和测试）公司名单，包括台积电、三星、Amkor和日月光等，这些公司在提交关于最终封装产品的“聚合近似晶体管计数”证明后，可以用来反驳ECCN3A090.a注释1中的规定，即“适用的高级逻辑集成电路”为3A090.a限制的数据中心产品。 这一举措无疑是对当前紧张的国际贸易环境的一种回应，旨在平衡技术出口控制与维持供应链稳定之间的关系。通过这种方式，BIS试图在保护国家安全的同时，也确保关键行业的正常运作和国际竞争力。这表明美国政府正在寻求一种更为精细化的管理方式，以应对复杂的全球科技竞争格局。

　　 此外，该新规对DRAM“高级节点集成电路”的定义进行了修订，将存储单元面积从“小于0.0019 μm²”调整为“小于0.0026 μm²”，同时将存储密度从“大于0.288千兆位/平方毫米”修改为“大于0.20千兆位/平方毫米”。此外，新规引入了“每个管芯超过3000个硅通孔”的条件，以确保涵盖所有符合这一定义的DRAMIC产品。这取代了之前基于18nm半间距的标准，使规定更加精确和全面。 这种调整反映了技术发展和行业需求的变化，有助于更准确地界定哪些产品应被纳入监管范围。新的定义不仅扩大了适用范围，同时也提高了标准的科学性和合理性，有助于推动技术创新和产业升级。

　　 该规则于2024年12月2日对“外国生产直接产品规则（FDPIFR）”进行了修订，重点完善和澄清了对高级计算和半导体制造项目的管控措施，并将书面评论的截止日期延长至2025年3月14日。 这一修订无疑将进一步规范相关技术的出口和生产流程。在全球供应链紧张的背景下，这些调整不仅有助于保护关键技术的安全，还可能对全球半导体产业产生深远影响。特别是对于那些依赖高级计算和半导体制造技术的企业来说，新规可能会带来更多的合规成本和不确定性。不过，从长远来看，这也有助于建立更加稳健和安全的技术生态系统。

　　 该规则将在《联邦公报》发布之日生效。尽管规则立即生效，出口商、再出口商以及本地转让者需在发布15天后开始遵守新要求。合规日期仅适用于本规则修订的EAR文本，不影响此前已经生效的内容。

　　 以下为该规则的内容（有删减）：

　　 一. 背景

　　 2022年10月7日，BIS发布了一系列规则中的第一条，这些规则限制了中国和其他有关国家获得某些先进计算IC（即超过规定性能阈值的IC）和相关物品的能力（10月7号IFR）。2022年10月7日IFR和后续相关规则中的控制措施旨在防止中国和其他地方的恶意国家和非国家行为者获得可用于威胁美国国家安全和外交政策目标的关键技术。

　　 今天，通过这个IFR，BIS正在更新EAR，以提高这些控制的有效性。该IFR旨在解决公众对2022年10月7日IFR控制和后续相关规则的共同要求，即就如何进行尽职调查以确认IC不超过EAR控制中规定的性能阈值提供更详细的指导。特别是，该IFR侧重于为“前端制造商”提供客观、明确的规则，旨在帮助更好地识别有可能以违反美国国家安全和外交政策利益的方式转移的交易；加强尽职调查程序，以确保新客户在提供可能符合先进计算控制水平的IC之前，经过“前端制造商”的适当审查；以及改进涉及可能构成更高转移风险的新客户的交易报告。

　　 2022年10月7日，美国工业与安全局（BIS）首次发布了一系列规定，限制中华人民共和国（PRC）及其他特定国家获取某些高性能计算集成电路（IC）及其相关产品。这些规定旨在阻止恶意国家和非国家行为体获取可能威胁美国国家安全和外交政策目标的关键技术。

　　 为了进一步提升上述规则的有效性，此次修订对相关控制措施进行了优化。此次更新回应了公众在2022年10月7日法规及其后续规则实施过程中提出的意见，尤其是在如何确保集成电路（IC）性能不超出管理阈值方面，提供了更为详尽的尽职调查指导。 这些改进措施不仅有助于更精准地执行现有规定，还体现了监管机构对公众反馈的重视。通过更加细致的操作指南，可以有效避免因技术性能超标而导致的潜在风险，从而更好地保护消费者权益和促进技术创新。

　　 A、半导体是中国技术野心的核心

　　 中国寻求利用先进的计算IC和超级计算能力开发和部署先进的计算系统和人工智能（AI）模型，以进一步实现超越美国及其盟友的军事能力的目标。先进或前沿的人工智能能力，如大型人工智能基础模型，可以改进大规模杀伤性武器（WMD）、自主武器和先进常规武器的设计和执行。这些人工智能模型辅助的军事决策可以提高速度、准确性、计划和后勤。由于需要高处理能力，开发这些功能需要先进的计算IC。在中国人工智能模型的开发和部署中使用先进的计算IC，将进一步实现中国超越美国及其盟友的军事能力的目标。

　　 中国正在快速增强其在人工智能（AI）和大数据分析领域的实力，这些技术的应用可能不仅限于国内，还可能涉及海外。中国正寻求将其数字威权模式输出，以帮助其他国家进行监控，并扩大其国际影响力。

　　 B、对先进计算集成电路的出口管制

　　 2022年10月7日，BIS发布了新的IFR，“实施额外出口管控：特定先进计算和半导体制造项目；超级计算机及半导体终端用途；实体清单更新”（2022年10月7号IFR）。该IFR修订了EAR，针对某些集成电路、包含这些集成电路的计算机产品以及特定半导体制造项目进行管控，并对EAR进行了其他调整，以确保相关管控措施的有效性，包括对某些“美国人”的活动进行规范。BIS认为，先进的计算集成电路及相关计算产品——其中许多产品源于美国或使用了美国的技术、软件及工具制造——可能使中国提升其数据处理和分析能力，特别是通过人工智能应用。这是因为先进计算集成电路及相关计算产品具有强大的处理能力。

　　 具体而言，10月7日的IFR要求向中国出口或再出口超过一定性能阈值的集成电路和相关物品（例如，出口管制分类号（ECCN）3A090中规定的物品）需要许可证，这些物品是受EAR约束的某些技术或软件的“直接产品”，或者是由作为此类技术或软件直接产品的工厂或工厂主要部件生产的。该规则还对向实体清单上的某些实体出口任何受《出口管理条例》约束的物品提出了许可证要求，这些物品是受《出口管制条例》约束某些技术或软件的“直接产品”，或者是由工厂或工厂的主要部件生产的，而工厂或工厂是此类技术或软件直接产品。这一要求极大地限制了中国对“先进节点集成电路（IC）”的访问，因为生产“先进节点IC”需要美国的技术、软件和工具。如果不使用美国的技术、软件和工具，超过10月7日IFR中设定的先进计算IC的控制阈值将极具挑战性，因此控制这些项目大大降低了中国自主生产先进计算集成电路的能力。

　　 2023年10月25日，BIS对10月7日发布的IFR进行了更新，旨在适应技术发展的步伐，确保相关管控措施依然有效。BIS发现，一些额外的集成电路（IC）能够提供与10月7日IFR中所列IC类似的用于人工智能模型训练的能力，因此决定进一步限制这些IC的使用。因此，“实施额外的出口管制：特定高级计算项目；超级计算机和半导体终端用途；更新与修正”（AC/SIFR）（88FR73458，2023年10月25日）对与先进计算及人工智能应用密切相关的先进计算集成电路的参数做了调整，并采取新措施防范规避管控的行为，包括将高级计算集成电路的许可要求扩展至涵盖D:1、D:4和D:5国家组。

　　 除了对中国及其他地区的先进计算集成电路和相关项目（如ECCN 3A090所列）实施许可要求外，BIS还通过AC/SIFR提供了指导意见，以确保半导体代工厂不会无意中违反基于性能门槛的管控措施。

　　 具体而言，AC/S IFR通过将13家参与先进计算IC开发的中国实体添加到实体清单中，对其施加了许可要求，包括涉及根据§734.9（e）（2）（脚注4）受EAR约束的外国生产物品的交易。

　　 此外，AC/SIFR系统提供了一些额外的危险信号和尽职调查要求，以帮助前端制造商判断其设计的集成电路是否满足规定的性能标准，从而确保这些集成电路在出口到特定国家时需要获得相应的许可证。这不仅有助于前端制造商更好地评估IC设计师所提供的信息，还能够有效识别那些可能试图通过非法手段制造受控集成电路的外国实体。 具体而言，“红旗法案”为先进集成电路的生产设定了明确的标准，使制造商能够识别出潜在的先进计算集成电路，无论客户对其技术参数有何种说法。这一措施无疑加强了对先进集成电路出口的管控力度，有助于防止敏感技术被滥用或非法转移。 这样的规定体现了国际社会对于先进技术安全的高度关注，同时也强调了各国在出口管制方面的合作与协调。虽然这些措施可能会增加一些企业的合规成本，但它们对于维护全球技术安全和防止技术滥用具有重要意义。

　　 具体而言，如果将生产的物品是集成电路、计算机、“电子组件”或包含500多亿个晶体管和高带宽存储器（HBM）的“组件”，它就会发出一个危险信号，表明根据《出口管理条例》很可能需要许可证。根据BIS的标准做法，出口商、再出口商或转让人（国内）需要调查情况和询问最终用途、最终用户或最终目的地国家以解决红旗问题。如果该问题没有得到充分解决，那么出口商、再出口商或转让人（国内）应向BIS提交咨询意见请求或向BIS提出许可证申请，寻求BIS的指导。

　　 2024年12月2日，BIS发布了另一份IFR，“外国生产的直接产品规则增加，以及对先进计算和半导体制造项目控制的改进”（FDP IFR），对某些先进计算项目、超级计算机和半导体制造设备的EAR控制进行了更改，其中包括对某些半导体制造设备和相关项目增加新的控制，为某些商品制定新的外国直接产品（FDP）规则，以削弱某些目的地或相关实体生产“先进节点IC”的能力，对某些对先进计算很重要的高带宽存储器（HBM）增加新的管制，并澄清对允许使用项目的某些软件密钥的管制。例如软件工具。

　　 FDPIFR与另一项BIS最终规则同时发布，该规则题为“实体清单的增加和修改；以及从验证的最终用户（VEU）计划中删除”（实体清单规则）（89FR968302024年12月5日）。这项规则不仅增加了新的实体清单条目，还对现有条目进行了调整，旨在加强对关键技术的EAR控制，从而减少这些技术被不当转移至风险实体的可能性。 这项新规则的出台体现了政府对于国家安全和技术保护的重视。通过加强出口管制措施，可以有效防止敏感技术落入不法分子手中，维护国际科技竞争中的公平性。然而，这样的规定也可能对合法的国际贸易造成一定的影响，尤其是在技术合作和交流方面。因此，在执行过程中需要平衡好安全需求与国际合作之间的关系，确保政策既能够达到预期的安全目标，又不会过度限制正常的商业活动。

　　 2025年1月13日，BIS发布了一项与该IFR相关的规定，即“人工智能传播框架”IFR（AI传播IFR），供公众审查。该规定针对出口、再出口或转让（国内）ECCN3A090.a、4A090.a分类的先进计算集成电路（IC）以及§742.6（a）（6）（iii）（a）中的相应.z项目，提出了全球区域稳定（RS）许可要求。同时，该规定还设立了几种例外和授权路径，旨在促进低风险转移或有助于美国国家安全及外交政策利益的交易，特别是为了维护美国的技术领导地位。

　　 此外，在2025年1月，BIS发布了一份与该IFR相关的最终规则“实体清单的补充”，即所谓的铸造实体清单规则。该规则对EAR进行了修订，并在实体清单中新增了16个实体，其中包括来自中国（14）和新加坡（2）的实体。这一举措无疑会进一步加剧国际间的技术竞争和贸易紧张局势，尤其对中国科技行业的影响尤为显著。此举可能被视为美国政府加强出口管制、限制特定国家技术获取力度的又一例证。未来，这可能会引发更多关于技术自主性和全球供应链多样化的讨论。

　　 C、与“适用于先进逻辑集成电路（IC）”相关的额外安全控制措施的国家基础框架 请注意，上述修改仅调整了句子结构和部分词汇，以保持原意的同时使其看起来更接近原创内容。主体信息及其中的特定术语未做更改。

　　 2022年10月7日IFR实施后，BIS继续研究和评估其控制措施在保护美国国家安全和外交政策利益方面的有效性。为此，BIS依赖于开源报告、公众意见、行业分析以及美国政府可以获取的其他信息资源。在过去的一年中，BIS发现有必要对现有控制措施进行调整。

　　 BIS评估指出，相关的实体清单条目、警示要求及技术指南并未能充分确保为集成电路设计人员制造芯片的代工厂以及集成电路供应链中的其他相关企业能够明确判断这些芯片是否符合或超越了ECCN 3A090的控制标准。

　　 如上所述，EAR提供了一系列红旗指标，代工厂可以使用这些指标来评估IC的性能水平。然而，BIS评估称，试图将符合ECCN 3A090控制参数的IC转移到未经授权的最终用途和最终用户的实体可能会歪曲其IC的性能，使铸造厂难以充分验证此类产品的性能。首先，BIS已经评估，晶体管数量低于当前红旗19（500亿晶体管数量）规定的IC可以达到ECCN 3A090规定的性能阈值。因此，红旗指标没有为收到晶体管数量低于500亿的IC订单的代工厂提供任何指导，以验证客户对这些IC是否属于ECCN 3A090的断言。

　　 此外，在IC生产过程中，评估其性能的技术挑战可能在多个环节出现。若代工厂不对IC进行最终封装，那么IC有可能被转用于其他用途，进而被封装成超出ECCN 3A090规定性能阈值的产品。例如，客户可能会订购晶体管数量略低于当前管制阈值的IC，并与外包装配公司（OSAT）签订合同，将该IC封装成性能超过ECCN 3A090所列标准的产品。这种对IC最终性能评估的挑战，加大了铸造厂未能察觉第三方规避商务部工业安全局（BIS）管控的风险。

　　 即便在铸造厂通过封装和检测来维持对晶圆的掌控时，BIS依然发现确保先进计算集成电路符合控制标准存在挑战。BIS了解到，合同条款有时会限制代工厂解析特定的商业敏感信息（比如设计文件），这些信息有助于明确集成电路的实际用途和性能。另外，依据设计文件评估集成电路的性能可能相当困难。由于无法充分了解集成电路的性能，这类集成电路有可能超出ECCN 3A090的性能门槛，并最终流向中国或其他存在国家安全风险的目的地，甚至落入被禁实体手中，用于高级人工智能应用。因此，BIS认为，通过可验证的技术参数，例如节点（这可以由代工厂即时确认）以及晶体管数量（这可以通过代工厂与外包装配测服务之间的沟通来确认），进行控制将更为有效。

　　 IC设计者可能歪曲符合ECCN 3A090控制参数的“适用高级逻辑IC”的ECCN，并将这些IC转移到未经授权的最终用途或最终用户的风险不是假设的。BIS观察到，中国实体和其他实体通过中介机构和/或空壳公司持续努力逃避对“高级计算IC”的控制，以及通过实体清单施加的限制。开源报告描述了中国公司使用外国子公司或其他方式购买受EAR控制的IC。为了应对这些努力，以及中国境内外（包括EAR中规定的香港和澳门特别行政区）寻求通过转运、转移和访问世界各地目的地具有先进计算IC的数据中心来获取先进计算IC，AC/S IFR和AI Diffusion IFR扩大了出口、再出口或转让（国内）先进计算IC所需许可证的目的地范围。

　　 尽管美国商务部工业与安全局（BIS）的控制措施已经相当有效，但仍然未能完全阻止先进的计算集成电路流向中国及其他受关注的目的地和实体。因此，BIS认为有必要采取更严格的限制措施，确保这些先进的计算集成电路仅出口到那些风险较低的客户手中。尽管一些集成电路设计商和外包装配测公司（OSAT）一直严格遵守出口管制规定，但为了更加稳妥，还需要增加更多保障措施，以防中国或其他实体通过第三方渠道获取先进的计算集成电路。 这种做法表明，当前的出口控制体系虽然已经在一定程度上发挥作用，但仍存在漏洞，需要不断调整和完善。这也反映出国际技术竞争的复杂性，以及各国在保护本国技术优势方面的决心。同时，这也提醒我们，国际合作与对话在解决这类问题上的重要性，单边行动可能难以达到预期效果。

　　 为此，该IFR对“前端制造商”以及“OSAT”公司提出了更广泛的许可要求，寻求根据ECCN 3A090.a向全球任何目的地出口、再出口或转让（在国内）某些“适用的先进逻辑集成电路”（见EAR§742.6（a）（6）（iii）（a），与新的注释1至3A090结合使用），除非通过注释1至3A-090第a.至c.段中概述的三种方式中的任何一种克服许可证要求。为了排除在这一扩大范围内可能捕获的大量低风险交易，该规则提供了三种方法来克服许可证要求，并创建了可靠来源清单来验证“适用的高级逻辑IC”：

　　 （i） 经批准的IC设计者（列于第740部分补充6中），

　　 （ii）经批准的“OSAT”公司（列于第740部分第7号补充文件中），以及

　　 （iii）根据3A090.A注释1中的标准识别授权IC设计者的方法。

　　 经批准的上市实体是指向BIS提交请求以添加到名单中，并通过最终用户审查委员会（ERC）批准添加到相关名单中的实体。（关于§748.16（a）（4）和第III.B节中规定的做出此类决定所使用的标准的描述，请参见第III.D节）。

　　 授权IC设计实体是指符合新注1至3A090.a标准的IC设计实体。在2026年4月13日之前，授权IC设计实体包括总部位于中国台湾地区或国家组a:1或a:5中指定的目的地的所有IC设计实体，这些设计实体既不位于也没有最终母公司总部位于中国澳门或国家组D:5（EAR第740部分第1号补充文件）中指定的目标地；并且已同意向“前端制造商”提交§743.9（b）中所述的适用信息，“前端制造商“必须向BIS报告。2026年4月13日之后，授权IC设计实体包括任何既符合这些标准又提交了成为批准IC设计师申请的IC设计师。然而，2026年4月13日之后被视为授权IC设计实体的任何公司，在提交成为批准IC设计实体的申请180天后，将不再是授权IC设计实体。

　　 该规定对许可证例外人工智能授权（AIA）和先进计算制造（ACM）进行了调整，使得某些例外情况仅适用于由认可的集成电路设计师设计的项目。这些设计师需能够准确报告其要求高级晶圆厂制造的项目的ECCN信息。

　　 二、本暂行最终规则概述

　　 在本IFR中，BIS对EAR管控措施做出了七项调整。本IFR实施的六项变更在第三节中详细说明如下：

　　 A.修订许可证例外AIA和ACM；

　　 B.第740部分的第6和第7号新补充，包括批准的IC设计师和批准的“OSAT”公司的名单，以及指定目的地的授权IC设计师；

　　 C.对为授权IC生产先进计算IC的“前端制造商”提出新的报告要求，以及新的“了解你的客户”（KYC）审查表；

　　 D.在IC设计领域，我们经常需要处理从批准的IC设计者和批准的“OSAT”（外包半导体组装和测试）公司名单中进行的添加、修改和删除申请的流程。这些流程对于确保供应链的安全性和技术的可靠性至关重要。尽管如此，这一过程也常常显得繁琐且耗时，尤其是在面对频繁的技术更新和市场变化时。 为了提高效率，行业内外都在探讨如何简化这一流程，同时不牺牲其安全性。例如，一些公司正在尝试采用更灵活的审批机制，以便能够更快地响应新技术或新供应商的加入。此外，还有建议认为通过引入自动化工具和电子化管理系统，可以大大减少人工操作的错误，提升整个流程的透明度和可追溯性。 总体来看，虽然目前的申请流程在保障质量方面起到了关键作用，但仍有改进的空间。随着技术的发展和市场的变化，我们需要不断审视和完善这些流程，以确保它们既能满足当前的需求，又能适应未来的变化。这不仅有助于提升行业的整体效率，还能增强对新技术和创新的接纳能力。

　　 E.新定义；

　　 F.修订幼儿保育网，以澄清幼儿保育网3A090的范围；

　　 G.FDP IFR中对EAR的修订和澄清

　　 三、 EAR的变化

　　 A.对许可证例外情况的更新涉及人工智能授权（AIA）和先进计算制造（ACM）

　　 本IFR修订了两个许可证例外范围内的项目：许可证例外AIA（§740.27）和许可证例外ACM（§740.28）。许可证例外AIA授权向位于第740部分第5号补充第（a）段所列目的地内的实体出口、再出口和转让（在国内）第（a”（1）和（a）（2）段中确定的物品，除非该实体的总部设在第740部分补充第5号补充第（b）段规定的目的地之外，或其最终母公司的总部设在该目的地之外。同时，根据附加条件，对第（a）（3）段中的某些型号重量进行了扩展授权。

　　 许可证例外ACM授权将符合条件的物品（ECCN 3A090、4A090和相关.z商品、软件和技术）出口、再出口和转让（国内）给位于非国家组D:5中列出的目的地的“私营部门最终用户”，或中国澳门，前提是其总部不在中国澳门，也没有总部设在中国澳门的最终母公司或国家组D:5中指定的目的地，如果最终用途是“开发”、“生产”或储存（在仓库或其他类似设施中）此类合格物品。

　　 本IFR修订了许可证例外AIA，增加了对三种符合此例外条件的商品的要求：ECCN3A090.a；5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a；以及5A992.z.1。这三个ECCN的要求规定，只有当这些ECCN由批准或授权的IC设计师设计时，它们才有资格获得此许可证例外，具体细节见第740部分补充6和ECCN3A090.a注释1。这一要求旨在确保铸造厂和其他寻求使用此例外的实体只有在项目由低转移风险的实体设计的情况下才能这样做。根据ECCN3A090.a注1的规定，授权IC设计实体是指（i）位于中国台湾地区或国家组a:1或a:5中的地点，且其总部不在中国澳门，并且没有最终母公司总部位于第740部分第1号补充文件的国家组D:5中指定的地方，以及（ii）其交易需遵守EAR第743.9条中的报告要求。

　　 本IFR同样修订了许可证例外ACM。对（b）款进行了修订，增加了对三种符合此例外条件的商品的要求：ECCNs 3A090.a；5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a；以及5A992.z.1。这三个ECCN的要求规定，只有由经批准或授权的IC设计师设计的ECCN才有资格获得此许可证例外，分别如第740部分补充6和ECCN 3A090.a注释1所述。与许可证例外AIA的新要求一样，这一要求旨在确保寻求使用许可证例外ACM的铸造厂和其他实体只有在与转移风险较低的实体合作时才能这样做。

　　 这些修订确保了这三个ECCN的许可证例外ACM和AIA授权仅在由经批准或授权的IC设计师设计时可用，这支持了更安全的供应链。EAR仍然要求“前端制造商”对授权和批准的IC设计师进行持续的技术和KYC尽职调查，并将结果报告给BIS。这确保了BIS拥有这些实体的最新信息，使BIS能够对报告的任何相关信息采取行动。下文将更详细地讨论用于指定授权和批准的IC设计师的因素，但被确定具有强大的出口管制合规历史并经过美国政府审查的实体可能是值得信赖的IC设计师。此外，这些例外情况适用于总部位于A:1、A:5和中国台湾的授权IC设计实体设计的物品，这些国家是多边出口管制制度（例如《常规武器和两用货物和技术出口管制瓦森纳安排》）的成员国，有权控制关注的关键物品，或有动机确保遵守这些额外要求。这些目的地与美国政府有着共同的利益，即打击先进节点IC的转移或滥用，促进相互安全，这些目的地的公司通常向先进代工厂歪曲其产品技术规格的可能性较低。

　　 根据本次IFR的更新，这些调整后的许可例外措施将有助于促进低风险贸易，同时让美国政府有机会先行审查涉及先进集成电路的潜在批准实体，而非仅仅依赖代工企业的尽职调查来识别潜在的转移风险。此外，与授权集成电路设计师相关的报告要求也将帮助美国政府了解这些实体与先进代工厂之间的验证流程，以确保其正常运作。因此，总部设在中国澳门或国家组D:5中列出的目的地的实体将更难以获得受EAR管辖的先进计算集成电路，因为它们试图通过可能篡改其产品技术规格的中间商下单，之后再将这些先进计算集成电路转移至受限目的地。

　　 B.第740部分的第6和第7号新补充，包括批准的IC设计实体和批准的“OSAT”公司以及授权的IC设计实体名单

　　 对第740部分进行了更新，新增了第6号和第7号附录，用于建立两个新的实体名单：认可的集成电路设计企业（附录6）和认可的“OSAT”企业（附录7）。

　　 在决定最初将哪些实体纳入这些补充文件时，最终用户审查委员会（ERC）的代表机构综合考虑了多种国家安全和外交政策因素，包括公司参与适当最终用途活动的记录；公司的出口许可证和相关历史记录，表明其遵守美国出口管制的情况；以及是否存在与该公司相关的其他负面信息（如引发对其所有权问题的关注）。此外，委员会还考察了申请人的长期购买先进集成电路的历史；其防止滥用和转移计算资源的能力；公司总部及其主要经营场所的位置；公司集成电路贸易的数量和性质；以及其他由BIS确定的相关因素。在决定哪些实体需要纳入或从这些补充中删除时，ERC将继续使用相同的标准进行评估。 这种做法有助于确保技术不会被用于不恰当的目的，同时也能促进合法贸易的发展。然而，这也意味着许多公司可能会因为一些间接的因素而受到不必要的限制。如何平衡国家安全和商业自由之间的关系，依然是一个值得深思的问题。

　　 i.在第740部分增加第6号补充

　　 ECCN 3A090.a注1中提到的第740部分第6号新增补详细列出了经过批准的集成电路设计实体。这一规定旨在加强出口管制，确保敏感技术不会落入不法分子手中。尽管这可能对某些企业的研发工作带来一定的限制，但从国家安全的角度来看，这是必要的措施。希望未来在执行过程中能够更加透明，并且为那些遵循规定的企业提供更多的支持和指导，以促进合规的同时推动技术创新与发展。

　　 Advanced Micro Devices（AMD）、Alphabet、Amazon、Analog Devices（ADI）、Apple（苹果公司）、BAE Systems、Block、波音公司、博通、Cerebras Systems、Cisco Systems、Hewlett-Packard Enterprise Company（HPE）、Honeywell International、Infineon Technologies AG（英飞凌）、Intel（英特尔）、International Business Machines Corporation（IBM）、L3Harris Technologies、Marvell Technology、联发科、Meta Platforms、Micron Technology（美光科技）、微软、三菱集团、诺基亚、英伟达、恩智浦半导体、高通公司、雷神公司、Realtek、索尼集团、特斯拉、德州仪器（TI）、西部数据。

　　 第748.16节解释了如何申请添加到经批准的IC设计实体名单中。要添加到批准的IC设计实体名单中，计划生产一个或多个ECCN 3A090.a分类的IC的IC设计实体必须以咨询意见的形式向BIS提交请求，并附上某些所需的信息，即第748部分新补充4中的信息。将公司添加到第740部分第6号补充中批准的IC设计者名单的咨询意见请求的处理将遵循《出口管理条例》第748部分第9号补充中规定的审查已验证最终用户请求的跨部门流程。BIS将对最初包含在第740部分第6号补充中的公司进行补充外联，以确保继续遵守EAR，包括本IFR颁布的要求。

　　 ii、在第740部分增加第7号补充

　　 第740部分第7号补充文件已将以下企业列入经过认可的“OSAT”公司名单，详情请参考ECCN3A090.a的注1：

　　 Amkor Technology（安靠）、Ardentec Corporation、ASE Technology Holding（日月光投控）、Doosan Tesna、Fabrinet、Giga Solution Tech、GlobalFoundries、HT Micron Semiconductors SA、Intel Corporation、International Business Machines Corporation（IBM）；KESM Industries Berhad、LB Semicon、Micro Silicon Electronics、Nepes Corporation、Powertech Technology Inc（PTI）、QP Technologies、Raytek Semiconductor、Samsung Electronics（三星电子）、SFA Semicon、Shinko Electric Industries、Sigurd Microelectronics Corporation、台积电（TSMC）和联华电子（UMC）。

　　 为了制定这份名单，BIS确定了目前从事“适用先进逻辑IC”生产的“OSAT”公司，这些公司总部设在澳门以外或《出口管理条例》第740部分补充1中国家组D:5中指定的地点。BIS和其他出口管制机构随后逐案审查了这些实体。根据对美国政府可用的开源和其他信息的审查，这些公司已被确定为获得批准。因此，这些公司关于最终封装产品的“聚合近似晶体管计数”的证明可用于克服ECCN 3A090.a注释1中的假设，即“适用的高级逻辑集成电路”是3A090.a.产品。

　　 为了申请加入被认可的“OSAT”公司名单，根据§748.16的规定，任何计划测试、组装或封装一件或多件超过3A090技术阈值物品的“OSAT”公司，需要以咨询意见的形式向BIS提交请求。处理将公司添加到第740部分第7号补充中认可的“OSAT”公司名单的咨询意见请求，将遵循《出口管理条例》第748部分第9号补充中规定的，用于审查验证的最终用户请求的跨部门流程。

　　 BIS将对外联最初被列入第740部分第7号补充的公司进行额外沟通，以确保持续遵守EAR，包括本IFR规定的要求。

　　 iii.为授权IC设计实体生产“适用的高级逻辑集成电路”的“前端制造商”的报告要求。

　　 第743.根据新的规定，9节为获得授权的集成电路设计实体增加了新的报告要求，涉及生产ECCN 3A090.a中所列的集成电路的“前端制造商”。授权集成电路设计实体是指符合新增注释1至3A090.a标准的实体，这些实体需要向“前端制造商”提供§743.9（b）中提到的相关信息，“前端制造商”则需向BIS报告，从而使这些实体免于遵守注释1至3A-090.a中描述的某些许可要求。这些新报告要求的目的是让美国政府能够掌握未被列入最初批准的集成电路设计清单的公司情况。

　　 请注意，BIS（美国商务部工业与安全局）持续监控出口许可和贸易数据，对于那些已经获得批准的“OSAT”公司和IC设计者，可能会采取一些纠正措施，包括要求提交报告，特别是当这些公司或个人涉及美国国家安全或外交政策问题时。 这种做法无疑增加了合规成本和行政负担，但对于确保技术不落入潜在威胁国家的手中，以及维护全球供应链的安全，确实有其必要性。通过加强监管和透明度，可以更好地预防和应对可能存在的风险，从而保护美国的利益和全球市场的稳定。

　　 第743.根据9条第（a）款的规定，生产ECCN3A090.a中所列授权集成电路设计者设计的集成电路的“前端制造商”，需按照相关规定向BIS提交报告（9（a）条）。鉴于能够生产这类集成电路的“前端制造商”数量有限，可以考虑将小型“前端制造商”的报告要求进行整合，以帮助验证更多集成电路设计者及其合作的“一站式组装测试”（OSAT）公司的信息。这样既能确保合规性，又能减少经济和行政负担，将这些要求集中在那些有能力提供关键信息以解决潜在转移问题的企业身上。“前端制造商”无需报告出口、再出口或国内转让给已获授权的集成电路设计实体或成为其设计者的实体的相关信息。 这种做法在保障国家安全的同时，也兼顾了企业的实际操作难度，有助于提高整体监管效率。通过集中处理小规模制造商的报告要求，既减少了不必要的行政负担，又增强了对潜在违规行为的监控力度。这表明政策制定者在平衡安全需求与企业运营灵活性方面做出了积极努力。

　　 第（b）至§743.9条明确了“前端制造商”需收集的信息，并在提交给BIS的每份关于授权集成电路设计者的报告中体现（例如，授权集成电路设计者的姓名、地址和联系方式；本部分附录二中的最终用户审查表格；以及报告季度内销售的ECCN3A090.a中明确或推定明确的各种集成电路的描述）。报告中有关于ECCN3A090.a中明确或推定明确的集成电路的信息，应包括设计者、产品名称、型号（如已知）及报告季度内的销售数量。这些信息帮助美国政府掌握核查流程的情况。

　　 §743.9的部分提供了关于如何提交报告以及提交报告的具体位置的一般信息。根据9第（c）（1）条的规定，按照该条款的要求，报告需每季度提交一次，首次报告须在2025年5月31日前提交，报告范围应涵盖2025年1月31日至4月30日期间的所有出口、再出口及国内转让活动。随后，（c）（2）条指出，BIS需在5月31日之前接收到截止到4月30日的报告期的报告。同样地，BIS应在8月31日之前接收到截止到7月31日的报告期的报告，11月30日之前接收到截止到10月31日的报告期的报告，以及2月28日之前接收到截止到1月31日的报告期的报告。

　　 段落（d）提供了电子邮件地址，EAR.Reports@bis.doc.gov，其中报告必须在主题行中与授权的IC设计师一同提交。（e）段指出，有关报告的一般信息或问题可发送至国家安全控制办公室，电话：（202）482-0092，或电子邮件：EAR.Reports@bis.doc.gov。

　　 第743.9节中讨论的授权IC设计者KYC审查表已通过本IFR添加到第743部分的第2号新补充中。本补充文件包含一份问卷，作为EAR§743.9中授权IC设计师报告要求的一部分，必须填写该问卷。第743部分第2号补充表格中问题的未解决答案“是”被视为红旗。“前端制造商”在继续进行交易之前需要进行额外的尽职调查。表格中的问题是KYC最佳实践，在这种情况下尤其重要，因为公司有可能寻求先进的铸造服务来规避对先进计算项目的控制。它们不是尽职调查要求的详尽清单，但提供了应作为KYC筛查一部分的重要信息。这些问题集中在三个方面：授权IC设计者的合法性；授权IC设计者是否与综合筛选名单上的任何条目相匹配；以及筛查特定交易的任何其他方；以及一般的危险信号，例如货运代理公司是否被列为最终目的地，或者任何一方是否似乎为交易支付了过高的费用。

　　 D.从认可的IC设计人员及认可的“OSAT”企业名单中进行添加、修改和删除申请的流程

　　 i.对于咨询意见流程的调整，旨在请求在已批准的IC设计人员或已批准的“OSAT”公司名单中进行添加、修改或删除操作。

　　 在§748.在3（c）（咨询意见）部分，本IFR进行了修订，以详细说明咨询意见程序，该程序将应用于要求某一方从第740部分补充6中批准的IC设计师名单中进行添加、删除或修改，或者从第740部分补充7中批准的“OSAT”公司名单中进行删除或修改。这些更改已在第（c）（4）条中实施。本IFR将原有的（c）（4）段重新编号为（c）（5）段。

　　 ii.第748.16节：申请增加、修改或删除已批准的IC设计者和已批准的“OSAT”公司名单。 这一条款表明了对集成电路（IC）设计者以及外包半导体组装和测试服务（OSAT）公司的严格管理和审核机制。这种管理方式有助于确保供应链的安全性和可靠性，防止不合规或潜在风险的企业进入行业核心环节。然而，这也可能限制了一些新兴企业的加入，增加了市场准入的难度。如何在保障安全与鼓励创新之间找到平衡点，将是监管机构需要持续关注的问题。

　　 第748部分进行了修订，新增了第748.16节，用于处理对IC设计师及已批准的“OSAT”公司进行添加、删除或修改的请求。根据此规定，为符合《出口管理条例》第740部分第6或第7号补充文件的要求，申请人需遵循第（a）至（d）款中的规定。具体细节将在本节第III.D.ii部分中进一步阐述，以明确合格的IC设计师与获批准的“OSAT”公司的标准，并制定相关程序来管理这些公司名单的变更。第748.16节还指出，若《出口管理条例》第740部分第6号或第7号补充文件中的请求未获批准，这并不意味着会引发新的许可需求。同时，这样的结果也不会影响该实体获得BIS许可批准的资格，也不会阻止之后再次提交第740部分补充6或7中列出的请求。这些说明旨在确保实体不会因顾虑而避免申请列入上述补充文件。

　　 §748.根据16第（a）（1）条的规定，只有那些从事集成电路设计、组装、测试或封装的实体，或者有明确计划进行这些活动的实体，才有可能被列入《740节第6或第7号补充》名单中。如果总部或最终母公司位于中国澳门，或者其目的地属于D:5国家组，则这些实体不符合资格，因为它们可能面临来自“前端制造商”的巨大压力，需要提供不准确的信息，以便获得先进的代工服务来生产受限的先进集成电路。同时，那些既不从事集成电路的设计、组装、测试或封装工作，也没有明确计划开展这些工作的实体也不符合列入这两份名单的条件，因为它们无法证明自身不会涉及相关集成电路的性能规格。

　　 第（a）根据（2）条的规定，在申请将信息添加到清单中时，需包含第748部分第4号补编中的相关信息。这些所需补充的信息与经过验证的最终用户（VEU）申请者所需的信息十分相似（即，所有权、记录保存方式、符合§748.16所有要求的证明以及确认和同意声明）。

　　 第（a）（3）条款提供了一个电子邮件地址，用于接收各类申请。申请人需按照§748.3（c）的要求，将申请以咨询意见请求的形式提交，并在邮件主题中注明“经批准的供应链实体申请”，然后发送至邮箱approved_supply_chain@bis.doc.gov。

　　 第（a）（4）款规定了最终用户审查委员会（ERC）在评估申请人是否有资格被列为经批准的IC设计者或经批准的“OSAT”公司时使用的一些因素。

　　 这些因素包括：（一）申请人有专门从事相应最终用途活动的历史；（二）申请人遵守美国的出口管制规定；（三）在批准之前需要进行现场考察；（四）申请人具备符合认可集成电路设计者标准的能力；（五）申请人具备防止计算资源滥用和转移的能力；以及（六）申请人与美国及外国企业之间的关系。

　　 此外，第（a）（4）款细则还规定，在评估IC设计者或“OSAT”公司获得批准地位的资格时，ERC将考虑申请人总部所在国家的出口管制状况，以及这些国家对多边出口管制制度的支持和遵守情况。所有这些因素都与评估申请人遵守所有美国出口管制法规并构成低转移风险的风险有关。 这一规定表明，国际监管机构在审核企业合规性时愈发注重其背后的国家背景。这不仅体现了全球供应链安全的重要性，也反映出当前地缘政治局势对高科技产业的影响。各国对于多边出口管制制度的支持和遵守情况将成为衡量企业合规性的关键指标之一。这种做法有助于确保技术不会被用于不正当用途，但也可能增加跨国企业的合规成本。因此，企业需要更加谨慎地管理其全球运营，以适应不断变化的国际规则。

　　 第（a）（5）款指出，经批准的IC设计者和经批准的“OSAT”公司的名单可能会被全部或部分修订、暂停或撤销。

　　 第（a）（6）款强调，在添加或修改请求中提交的信息被视为构成对现有事实或情况的持续陈述。与授权有关的任何重大或实质性变更，无论状态是否已授予或仍在考虑中，都必须及时报告给BIS。这些规定确保获得批准的IC设计者身份以及是否授予该身份的决策得到最新信息的通知。

　　 第（b）根据《出口管理条例》第762部分的记录保存要求，请求人需保留所有依据§748.16提交的请求相关的文件。此举旨在确保在进行调查时，商务部工业安全局（BIS）能够要求获取在确定和维持名单状态的过程中所做的一切相关事实和声明。

　　 第（c）段规定了授权集成电路设计人员需向生产ECCN3A090.a分类的集成电路的“前端制造商”通报的信息，“前端制造商”须向BIS提交这些信息。具体的报告要求详见第三节c中关于授权集成电路设计人员的§743.9报告要求。

　　 最后，被列为经批准的IC设计者和经批准的“OSAT”公司可以根据本节第（a）（2）款的指示，申请从《出口管理条例》第740部分第6或第7号补充中删除其名称。第（d）段指出，尽管这些实体可以申请删除，但记录保存和向“前端制造商”或“多个前端制造商”报告的要求仍需继续执行，直到《出口管理条例》完成相应更新。任何最终用户审查委员会成员都可以根据EAR第748部分第9号补充中的权限，提出对IC设计者名单和OSAT名单中的条目进行添加、修改或删除的建议。 这种规定反映了当前国际贸易环境下的复杂性和不确定性。一方面，它为那些已经获得认证的公司提供了一条退出特定限制的途径，这无疑是一种激励措施，有助于鼓励更多企业参与到相关领域的发展中。另一方面，这也意味着在实际操作过程中，许多公司可能需要面对更加繁琐的流程和持续的监管压力。这种做法在一定程度上确保了贸易安全，但也可能给一些企业带来额外负担。因此，在推动技术创新和保障国家安全之间找到平衡点，将是政策制定者需要认真考虑的问题。

　　 E.新定义

　　 第772.1节进行了修订，增加了五个定义：“16/14纳米节点”、“聚合近似晶体管计数”、“适用的高级逻辑集成电路”、“前端制造商”和“外包半导体组装和测试（OSAT）”。这些术语被添加到§772.1中，以帮助公众轻松找到这些术语的定义，因为它们在EAR的多个部分中使用。

　　 “16/14纳米节点”、“聚合近似晶体管计数”以及“适用于高端逻辑集成电路”的新定义，在EAR框架下为这些术语的应用提供了更具体的指导。“前端制造商”和“外包半导体封装与测试（OSAT）”的新定义，则明确了在EAR中这类实体的分类标准，从而帮助出口商、转出口商及转让者更清晰地识别相关对象。

　　 本IFR还修改了“高级节点集成电路”的定义，修改了动态随机存取存储器（DRAM）IC的第（3）段，将存储单元面积从“小于0.0019?m2”修改为“小于0.0026?m2”，并将存储密度从“大于0.288千兆位/平方毫米”修订为“大于0.20千兆位每平方毫米”。此外，该规则增加了“每个管芯超过3000个硅通孔”的参数，以确保捕获根据该定义要捕获的所有DRAM IC。此外，在定义的注释2中，“千兆字节”一词改为“千兆比特”。有关这些修订的更多说明，请参阅第III.G.i.b节。

　　 F.修订以澄清ECCN 3A090.a的范围

　　 BIS寻求进一步确保“前端制造商”和“OSAT”公司的客户，包括潜在的空壳公司，不能通过歪曲其IC设计的性能来逃避对先进计算IC的控制。因此，BIS已确定，“前端制造商”仅依靠最终用户或交易其他方的证明来确认ECCN是不够的。因此，本IFR通过修订ECCN 3A090.a对第774部分的第1号补充进行了修订。

　　 本IFR在ECCN 3A09.a中增加了注释1，以澄清当“前端制造商”或“OSAT”公司寻求出口、再出口或转让（国内）任何“适用的高级逻辑集成电路”时，可以推定该物品是3A090.a.，是为数据中心设计或销售的。除非克服了这一假设，否则“前端制造商”或“OSAT”公司必须遵守适用于3A090.a中规定的项目的所有要求。

　　 可以通过以下三种方式之一克服这一假设：

　　 i.如果“适用的高级逻辑集成电路”的设计实体是经过批准或授权的IC设计实体，那么这表明在集成电路的设计与生产过程中，严格的监管和审批机制正在得到有效的执行。这样的措施有助于确保产品的质量和安全性，从而增强消费者对这些高科技产品的信任。同时，这也反映了行业内部对于技术规范和标准的高度重视，有助于推动整个行业的健康发展和技术进步。

　　 如上所述，已经获得批准的集成电路（IC）设计实体已被美国政府审核过，在2026年4月13日之前，被授权的IC设计师包括所有IC设计实体，这些实体（a）总部设在中国台湾地区或《出口管理条例》（EAR）第740部分附录1中的A组1或A组5所列目的地，且不位于澳门或D组5所列目的地，同时其最终母公司总部也不位于这些地方；以及（b）其交易需要遵循EAR第743.9条中的报告要求。

　　 2026年4月13日之后，如果一家公司既符合这些标准，又提交了成为获批IC设计实体的申请，则将被视为授权IC设计实体180天。以这种方式构建ECCN允许大多数IC设计人员（因为上述目的地占“前端制造商”收入的绝大多数）在没有许可证的情况下进行交易，但提高了美国政府对这一批准的供应链流程的可见性。特别是，总部位于中国台湾地区或国家组a:1或a:5指定目的地的授权IC设计师，如果其“前端制造商”符合此类客户的报告要求，则可以克服这一假设。2026年4月13日之后，获得豁免的主要方式是成为经批准的IC设计师（此处描述的180天路线除外）。

　　 ii.如果IC芯片由“前端制造商”在中国澳门以外的地点或第740部分补充1中国家组D:5中指定的目的地进行封装，则“前端制造商“的证明，即

　　 （a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管。这一数字虽然庞大，但考虑到现代芯片设计的复杂性和高性能需求，这样的晶体管数量似乎已经接近当前技术的极限。随着技术的进步，我们期待未来能有更高效的晶体管集成方式，以满足日益增长的计算需求。 这种发展趋势不仅反映了半导体行业的技术创新速度，也揭示了电子产品性能提升背后巨大的工程挑战。面对如此庞大的晶体管数量，如何确保每个晶体管都能高效稳定地工作，成为了工程师们需要克服的关键问题之一。

　　 （b）最终封装的IC并不包含高带宽存储器（HBM），并且预计到2027年，在任何出口、再出口或国内转移过程中，这种最终封装的集成电路的“聚合估计晶体管数量”都将低于350亿个晶体管。 这一规定无疑为半导体行业设定了一个明确的技术门槛，同时也可能对全球供应链产生一定的影响。尤其对于那些依赖于高端半导体技术的企业来说，这可能会带来不小的挑战。不过，这也可能推动相关企业加速研发更高密度、更高效能的芯片技术，从而在未来的市场竞争中占据有利位置。总体来看，这一措施既是对当前技术能力的一种限制，也可能是推动技术创新的重要动力。

　　 （c）2029年或之后完成的任何出口、再出口或国内转让超过400亿个晶体管的集成电路，则这将超越ECCN 3A090.a中规定的限制。

　　 由“前端制造商”自己在D:5或澳门以外的地点完成的封装将使该芯片制造商能够对芯片的技术参数进行可信、可靠的评估。如果“前端制造商”自己进行包装，他们将明确知道最终的包装物品是否超过了上述规定的适用晶体管阈值，因此前端制造商不需要完全依赖客户的信息。

　　 iii.如果IC由《出口管理条例》第740部分第7号补充中列出的经批准的“OSAT”公司封装，则该经批准的公司应证明：

　　 （a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管。这一数字虽然庞大，但考虑到现代芯片设计的复杂性和高性能需求，这样的晶体管数量似乎已经接近当前技术的极限。随着技术的进步，我们期待未来能有更高效的晶体管集成方式，以满足日益增长的计算需求。 这种发展趋势不仅反映了半导体行业的技术创新速度，也揭示了电子产品性能提升背后巨大的工程挑战。面对如此庞大的晶体管数量，如何确保每个晶体管都能高效稳定地工作，成为了工程师们需要克服的关键问题之一。

　　 （b）最终封装的集成电路不包含高带宽存储器（HBM），并且在2027年底前完成的任何出口、再出口或国内转让中，“聚合接近晶体管数量”均低于350亿个晶体管。 这一规定无疑为半导体行业的技术发展设定了新的门槛。随着技术不断进步，晶体管数量的增长速度远超预期，这样的限制可能会促使企业加快研发进程，寻找替代解决方案以应对日益增长的技术需求。同时，这也反映了国际上对于高科技产品出口管制的持续关注，旨在平衡技术创新与国家安全之间的关系。

　　 （ii）2029年或之后完成的任何出口、再出口或转让（国内）400亿个晶体管的技术，将突破ECCN 3A090.a中对集成电路的限制假设。这项技术的发展不仅标志着半导体行业的一个重要里程碑，还可能引发全球科技竞争的新一轮高潮。随着技术的不断进步，各国在高科技领域的竞争也日益激烈。这一突破可能会重新定义国际科技贸易规则，并对全球供应链产生深远影响。此外，这也引发了关于技术出口控制有效性的广泛讨论，如何平衡技术创新与国家安全成为亟待解决的问题。

　　 鉴于美国政府已对这些实体进行了评估，以准确报告最终包装物品的最终性能，因此，由经批准的“OSAT”公司完成包装应能对最终物品的技术规格进行可靠评估。

　　 如果一家经过批准的“OSAT”公司能够证明最终产品中的晶体管数量不超过特定年份规定的适用限额，那么这类产品很可能不是先进的AI芯片。满足这三个条件中的任何一个都将增强客户对集成电路性能认证的信任，从而使得潜在客户无需申请许可证即可继续进行相关操作。

　　 在《出口管理条例》第740部分第6号补充中列出的经批准的IC设计实体没有证明“总处理性能”和“性能密度”的情况下，使用“16/14纳米节点”或以下，或使用非平面晶体管架构生产的任何逻辑IC，如果其目的地是封装内“聚合近似晶体管计数”超过适用晶体管数量（如出口、再出口或国内转让年份所规定）的物品，或者如上所述，“前端制造商”或“OSAT”公司无法确认最终包装物品的“聚合近似晶体管计数”，则假定该物品为3A090.a为数据中心销售。

　　 同样，由经批准的“OSAT”公司进行处理，并经过BIS和相关跨部门合作伙伴的审查，可以克服“适用的高级逻辑IC”是3A090.a项目并为数据中心设计或销售的假设。

　　 重要的是，ECCN 3A090中的推定不适用于根据ECCN 4A003.z、4A004.z、4A 005.z或4A090分类的物品。因此，本IFR规定的变更主要限于“前端制造商”寻求将IC出口给芯片设计实体或“OSAT”公司的情况。

　　 注2: 3A090.a提供了管芯的“近似晶体管计数”的定义，即管芯的晶体管密度乘以以平方毫米为单位的管芯面积。管芯的“晶体管密度”是用于制造管芯的工艺节点每平方毫米可以制造的晶体管数量。

　　 G.对FDP IFR所做更改的修订

　　 i.非商业管制清单（CCL）修正案

　　 a.对§744.11的修订

　　 本规则对§744.11（a）（2）（v）进行了修订，以协调总部设在中国澳门或其最终母公司位于澳门以及国家组D:5中所列目的地的实体出口至国外或从所有国家再出口的许可证要求产品范围。修订内容涉及与总部位于第742部分第4号补充中未提及的国家或其最终总公司位于第744.11条（a）款（3）（i）中规定的许可证条件下的产品范围保持一致。具体来说，根据该临时最终规则，在第（a）（2）（v）（a）（1）款的范围内新增了ECCN 3B993，现为ECCN 3B001（除3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、f.6、g、h、k至n、p.2、p.4或r外）、3B002（除3B002.c外）、3B611、3B903、3B991（除3B991.b.2.a至3B991.b.2.b外）、3B992、3B993或3B994。

　　 b.修订DRAM“高级节点集成电路”的定义

　　 该规则更新了§772.1中DRAM IC的“高级节点集成电路”的定义，以澄清（1）其先前的18纳米（nm）半间距标准BIS打算捕获的相关单元面积为0.0026平方微米（?m2）；（2） 打算用其18nm半间距标准捕获的相关存储器密度为每平方毫米0.20千兆位（Gb/mm2）；以及（3）每个管芯要捕获的硅通孔的相关数量是“每个管芯3000多个硅通孔”的参数。2022年10月，BIS根据§744.6（c）（2）和744.23（a）(2)。在FDP IFR中，BIS直接参考这些技术参数，取代了18 nm半间距标准。

　　 然而，通过对DRAM生产信息的深入分析，BIS发现，由于IRDS的定义以及相关代工厂实际生产的DRAM参数，IRDS对“18nm半间距”的定义未能全面覆盖相当于“18nm一半间距”的DRAM产品。因此，这不适用于限制§744.23（a）（2）所涵盖的产品的出口、再出口和国内转让，也不适用于限制美国人根据§744.6（c）（2）。因此，此次更新调整了单元面积和存储器密度参数，以与DRAM行业在18nm半间距节点上的生产标准保持一致，而非基于DRAM存储器的理论模型及其非实际物理特性来定义“18nm半间距”。此次修订对之前未受2024年12月5日FDPIFR中DRAM定义约束的DRAM设施实行最终用途和美国人控制。

　　 c.关于脚注5的更新，这次修订主要聚焦于对逻辑和DRAM“先进节点集成电路”生产的持续支持。这一举措不仅体现了半导体行业在技术上的不断进步，也反映出全球对于高端芯片制造能力的重视程度正在加深。随着科技的发展，尤其是人工智能、自动驾驶等领域的快速崛起，对高性能、低功耗芯片的需求日益增加。因此，加大对这些“先进节点集成电路”的支持力度，不仅是对当前市场需求的积极回应，也是对未来技术趋势的一种前瞻性布局。 这样的支持政策无疑将推动相关产业的发展，促进技术创新，并可能在全球半导体市场竞争中占据更有利的位置。同时，这也意味着相关企业将有更多的资源投入到研发之中，从而有可能加速新技术的商业化进程，为整个行业带来更多的可能性和发展机遇。

　　 该规则扩大了适用于脚注5实体的新De Minimis和FDP所涵盖的最终用户范围，包括发生逻辑和DRAM“高级节点集成电路”“生产”的任何最终用户设施。正如FDP IFR中所解释的那样，由于实体清单规则中描述的特定国家安全和/或外交政策问题，包括支持或有可能支持中国生产“先进节点集成电路”的努力，包括用于军事最终用途，BIS在实体清单中增加了16个实体，并指定了脚注5。这些控制措施补充了BIS在《出口管理条例》第744.6（c）（2）条和第744.23（a）（2中）条中对“先进节点集成电路”“生产”的现有控制措施。本IFR中的修订将确保在“知道”某一物品将运往位于相关设施的某些实体时，对某些外国生产的物品实施控制，无论这些物品是否已被添加到带有脚注5的实体清单中。目前，BIS已决定对“生产”逻辑和DRAM“先进节点集成电路”的设施增加域外管制。

　　 d.对§734.4（a）（3）文本和脚注的修订

　　 本规则将§734.4（a）（3）中的“a”修改为“This”，以澄清本节中的相关“商品”是ECCN 3B993.f.1中描述的设备。本IFR还更新了§734.4的脚注1，以解决行业关于哪些国家对这些物品进行控制的问题。

　　 e.修订§734.9（a）以增加知情权

　　 本规则对§734.9（a）进行了修订，增加了第（a）（3）款，以澄清BIS有权通知人们，位于美国境外的外国生产的物品在符合§733.9中任何FDP规则的要求时受EAR的约束，截至本IFR生效之日，该规则由第（b）至（k）款组成，并通知人们适用于此类物品的任何许可证要求。

　　 f.更正§734.9中的四个音符名称，使其按顺序排列

　　 在§734.9中，本IFR还重新指定了四个现有注释，将注释按数字顺序排列在该节中，以符合《联邦公报》办公室对章节中注释顺序编号的要求。本IFR将（g）段注释3重新指定为（g）款注释4，将（h）（2）（ii）段注释5重新指定为第（h）段注释6，将（k）（1）（二）（B）段注释三重新指定为第一（k）段注释六，将第（l）段注七重新命名为第一（1）段注释八。

　　 g.在§734.9（h）（1）中增加注释4

　　 在高级计算FDP规则中，本IFR在§734.9（h）（1）中新增了注释4，以提醒制造设施和“OSAT”公司，在遵循ECCN3A090的注释1时，如果IC属于“适用的高级逻辑集成电路”，则可推定其属于ECCN3A09.a类别，并且是专为数据中心设计或销售的产品，这意味着这些集成电路可能是使用“16/14纳米节点”或更小工艺节点，或者采用非平面晶体管架构生产出来的逻辑集成电路。 这一修订进一步明确了某些集成电路的出口分类标准，有助于相关企业更好地理解和遵守出口管制规定。尤其是在当前全球供应链复杂多变的情况下，这种明确的指导对于确保合规性和避免潜在的法律风险至关重要。此外，这也反映了国际社会对高端半导体技术出口管控的持续关注，特别是在数据中心等关键领域，这不仅关系到商业利益，也涉及到国家安全和科技竞争的层面。

　　 h.修订临时通用许可证（TGL）的产品范围——限制较少的中小企业“零件”、“组件”或“设备

　　 在第736部分的第1号补充中，本IFR修订了第（d）（1）（i）（A）段中TGL的产品范围——第（d”（1）段中限制较少的SME“零件”、“组件”或“设备”。本IFR删除了第（d）（1）（i）（A）段中对ECCN 3A991的引用，并在其位置添加了3B991，以纠正产品范围。

　　 ii.商务管制清单修订

　　 a.修订以增加改进3B001.f和3B993.f光刻设备的项目

　　 本规则在3B001.f.、3B993.f.、3D992、3D993、3E992和3E993下增加了新的段落，用于设计或修改商品、“软件”和“技术”，以改进3B001.f.1和3B993.f中规定的深紫外光刻设备的最小可分辨特征尺寸和“专用卡盘覆盖层”。这些新的控制措施涵盖了3B001.f.1.或3B993-f中没有规定为此类设备的“专门设计”“组件”或“附件”的项目，或是在相关的3D和3B ECCN中为此类设备“开发”或“生产”专门设计的“软件”和“技术”的项目。该规则还修改了EAR中的各种交叉引用，以包括3B001.f.6。

　　 b.对ECCN 3B993和3B994的修订

　　 该规则修改了ECCN 3B993和3B994的标题，以规定这些ECCN中规定的商品的设备和“专门设计”的“组件”和“配件”。BIS正在进行这些更改，以使ECCN 3B993和3B994的范围与ECCN 3B001和3B002中的类似控制相协调。

　　 c.对ECCN 3D992、3D993、3D994、3E992、3E993和3E994的修订

　　 对第3D992.a、3D993.a、3E993.a段进行了修订，新增了“专门设计”一词，以确保其与其他990系列软件控件的表述保持一致。

　　 ECCN3D994和3E994进行了更新，在标题中加入了“专门设计”的字样，以确保与其他990系列的软件和技术控制要求保持一致。

　　 ECCN 3E992进行了更新，在标题中加入了“及”相关技术“如下（见受控物品清单）”，并且新增了第3E992.a段，用于管控那些“专门设计”用来“开发”或“生产”3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、f.6、k至n、p.2、p.4、r中列出的商品的“技术”；或者3B002.c中提到的商品的相关技术。此外，还新增了3E992.b段，以管控那些设计或修改后可在深紫外浸没光刻设备中或与之配合使用以执行特定功能的“技术”，这些技术不在3E992.a段的管控范围内。

　　 iii.延长FDP IFR的评论期

　　 该IFR将FDPIFR的书面反馈截止日期延至2025年3月14日。此举旨在为评论者提供更多时间，以审查FDPIFR中针对EAR的进一步修订与说明，并通过BIS正在进行的关于FDPIFR的公众宣传活动以及即将为该IFR开展的宣传活动，使他们能更好地了解相关信息。延长FDPIFR的公众意见征集期并不会影响该规则的生效时间。

　　 四、 公众评论

　　 BIS邀请社会各界对这些额外的尽职调查修订，以及本IFR中的其他任何修改提出意见。

　　 五、保留条款

　　 a.整个IFR0的保留条款

　　 对于因本监管行动而被取消许可证例外或出口、再出口或转让（国内）NLR资格的物品，在[插入日期为《联邦公报》公布日期后15天]由承运人运往出口、再进口或转让（在国内）港口的途中，根据实际订单，可以根据之前的许可证例外资格或出口、转口或转让（境内）NLR前往该目的地，前提是出口、再进出口或转让（本国）已完成不迟于[在《联邦公报》上公布日期后45天插入日期]。

　　 b.本IFR对先前授权的某些交易的保留条款

　　 若在本监管措施正式实施日期之前的十二个月内，BIS已免除依据§744.11（c）或744.23（b）发布的通知所规定的许可要求，针对某一特定物项的出口、再出口或国内转让，则在BIS没有采取进一步行动的前提下，该物项的出口、再出口或国内转让将不受本监管措施所规定的任何许可要求限制。